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CMOS集成電路抗輻射加固設(shè)計(jì)要求

標(biāo) 準(zhǔn) 號： GB/T 41033-2021
替代情況：
發(fā)布單位： 國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位： 中國航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所
發(fā)布日期： 2021-12-31
實(shí)施日期： 2022-07-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2022年02月20日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了CMOS集成電路抗輻射（總劑量、單粒子）加固設(shè)計(jì)的流程、設(shè)計(jì)要求、建模仿真、驗(yàn)證試驗(yàn)要求。
本文件適用于基于體硅/SOI CMOS工藝的數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)模混合集成電路的抗輻射（總劑量、單粒子）加固設(shè)計(jì)。

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