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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延層厚度的紅外反射測(cè)量方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于襯底在23℃電阻率小于0.02Ω·cm 和外延層在23℃電阻率大于0.1Ω·cm 且外延層厚度大于2μm 的n型和p型硅外延層厚度的測(cè)量;在降低精度情況下,該方法原則上也適用于測(cè)試0.5μm~2μm 之間的n型和p型外延層厚度。