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半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 19199-2015
替代情況： 替代 GB/T 19199-2003
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 信息產(chǎn)業(yè)專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司、中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)
發(fā)布日期： 2015-12-10
實(shí)施日期： 2016-07-01
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更新日期： 2017年12月09日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于電阻率大于106Ω·cm 的非摻雜和碳摻雜半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的測定。測量范圍:室 溫 下 從 1.0×1015 atoms/cm3 到 代 位 碳 原 子 的 最 大 溶 解 度,77 K 時(shí) 檢 測 下 限 為4.0×1014atoms/cm3。

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