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用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): T/CASAS 034-2024
替代情況:
發(fā)布單位: 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
起草單位: 浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心、廣東工業(yè)大學(xué)、工業(yè)和信息化部電 子第五研究所 等
發(fā)布日期: 2024-09-30
實(shí)施日期: 2024-09-30
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更新日期: 2025年05月14日
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內(nèi)容摘要

本文件描述了用于零電壓軟開(kāi)通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。


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